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CN
產(chǎn)品技術(shù)
MEMS
iTomic? HiK系列原子層沉積系統(tǒng)
iTomic? HiK系列原子層沉積系統(tǒng),適用于客戶制程高介電常數(shù)(High- ?? )柵氧層、MIM電容器絕緣層、TSV介質(zhì)層等薄膜工藝需求;ALD系列設(shè)備憑借原子級(jí)別的精確控制、沉積薄膜的高覆蓋率和超薄膜厚的均勻性可為邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片提供介質(zhì)層等關(guān)鍵工藝解決方案,技術(shù)和設(shè)備指標(biāo)達(dá)到國(guó)內(nèi)一流、國(guó)際先進(jìn)水平。
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產(chǎn)品特點(diǎn)
12英寸單片熱ALD量產(chǎn)設(shè)備(兼容8英寸)
1
采用原創(chuàng)設(shè)計(jì)的反應(yīng)腔和源輸送加熱系統(tǒng),可滿足優(yōu)異的薄膜均勻性和重復(fù)性,更適合三維和高深寬比器件結(jié)構(gòu)的薄膜生長(zhǎng)
2
薄膜材料:Al?O?、HfO?、HfSiO、SiO?、金屬化等工藝
3
配置有4種獨(dú)立的高溫前驅(qū)體輸送系統(tǒng),滿足ALD薄膜多元化摻雜工藝需求
4
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